Integra Technologies lanza la primera tecnología RF GaN/SiC de 100 V de la industria para aplicaciones de defensa de misión crítica

El primer producto GaN RF de 100 V de Integra, el IGN1011S3600, ofrece un revolucionario rendimiento de potencia de salida de 3,6 kilovatios con una eficiencia del 70 % para los sistemas de aviónica de próxima generación.

EL SEGUNDO, California–(BUSINESS WIRE)–Integra, un proveedor líder de soluciones innovadoras de potencia de microondas y RF que ayudan a crear un mundo más seguro y conectado, presentó hoy la primera tecnología RF GaN/SiC de 100 V de la industria dirigida a una amplia gama de aplicaciones que incluyen radar, aviónica, guerra electrónica, industrial, sistemas científicos y médicos. Al operar a 100 V, esta tecnología rompe las barreras de rendimiento de potencia de RF al lograr 3,6 kilovatios (kW) de potencia de salida en un solo transistor de GaN. GaN de 100 V de Integra brinda a los diseñadores la capacidad de aumentar drásticamente los niveles de potencia y la funcionalidad del sistema, al mismo tiempo que simplifican las arquitecturas del sistema con menos circuitos de combinación de energía en comparación con la tecnología más común de GaN de 50 V/65 V. En última instancia, los clientes se benefician con una huella de sistema más pequeña y un menor costo del sistema.

Suja Ramnath, presidente y director ejecutivo de Integra, comentó: “La tecnología RF GaN de 100 V de Integra representa un hito importante en el mercado de alta potencia. Esta tecnología innovadora elimina las barreras que limitan el rendimiento del sistema en la actualidad y permite nuevas arquitecturas que antes no eran posibles. Estamos entusiasmados de que esta tecnología disruptiva permitirá a nuestros clientes ofrecer una nueva generación de soluciones de potencia de RF de varios kilovatios de alto rendimiento y, al mismo tiempo, reducir el tiempo de ciclo de diseño y los costos del producto”.

El Dr. Mahesh Kumar, arquitecto de sistemas de radar aeroespacial y de defensa y ejecutivo de tecnología, afirmó: “La primera tecnología de Integra en comercializar 100V RF GaN redefinirá por completo lo que es posible para los sistemas RF de alta potencia”. Al entregar aproximadamente el doble de potencia en comparación con un transistor GaN de 50 V en un solo paquete, eliminará una cantidad significativa de combinadores y circuitos electrónicos asociados, lo que dará como resultado un menor volumen, peso y costo del sistema y una mayor eficiencia del sistema.

El primer producto RF GaN de 100 V de Integra es el IGN1011S3600, diseñado específicamente para aplicaciones de aviónica. El IGN1011S3600 ofrece 3,6 kW de potencia de salida líder en la industria con 19 dB de ganancia y 70 % de eficiencia. El IGN1011S3600, basado en RF GaN de 100 V de Integra, es una solución atractiva para programas que requieren mejoras de tamaño, peso, potencia y costo (size, weight, power and cost, SWAP-C). El RF GaN/SiC de 100 V, IGN1011S3600, está disponible para muestreo para clientes calificados.

Número de pieza

IGN1011S3600

Rango de frecuencia

1030-1090 MHz

Potencia de salida

3600 W

Eficacia

70 %

Gran ganancia de señal

19 dB

Polarización de drenaje

100 V

ACERCA DE INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.

Fundada en 1997, Integra es un innovador líder en soluciones de paletas de semiconductores y amplificadores de alta potencia de RF y microondas para aplicaciones de misión crítica, que incluyen sistemas de radar, guerra electrónica y comunicaciones avanzadas de última generación. Para obtener más información, visite www.integratech.com.

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